DDC144EU-7

Symbol Micros: TDDC144eu-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DDC144EU-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1347 0,0636 0,0357 0,0270 0,0245
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole