DGCP120F65M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC100f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247Plus
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 300nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 360A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247Plus-3L
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGCP120F65M2 RoHS Gehäuse: TO247Plus Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,6733 4,1554 3,8437 3,6878 3,5943
Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 300nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 360A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247Plus-3L
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT