DGCP120F65M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC100f65m

Gehäuse: TO247Plus

IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	300nC
Maximale Verlustleistung:	500W
Max. Kollektor-Strom:	160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	360A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247Plus-3L
Hersteller:	Donghai

Gate-Ladung:	300nC
Maximale Verlustleistung:	500W
Max. Kollektor-Strom:	160A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	360A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247Plus-3L
Hersteller:	Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	30V
Montage:	THT