DHG25T120 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC25f120m2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 141nC
Maximale Verlustleistung: 278W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DHG25T120D RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0117 1,5969 1,4267 1,3643 1,3404
Standard-Verpackung:
25
Gate-Ladung: 141nC
Maximale Verlustleistung: 278W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT