DGN30F65M2 DONGHAI

Name: TDGC30f65m TDGC30f65m
Brand: WXDH
SKU: TDGC30f65m
Price: 0.7963 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TDGC30f65m

Gehäuse: TO 3PN

IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	48nC
Maximale Verlustleistung:	230W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO 3PN
Hersteller:	Donghai

Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGN30F65M2 RoHS Gehäuse: TO 3PN Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	60+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5127	1,0570	0,8691	0,8362	0,7963

Gate-Ladung:	48nC
Maximale Verlustleistung:	230W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO 3PN
Hersteller:	Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-45°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	30V
Montage:	THT