DGC40F120M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGC40f120m2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 198nC
Maximale Verlustleistung: 388W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGC40F120M2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,2202 2,7671 2,5009 2,3714 2,2995
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 198nC
Maximale Verlustleistung: 388W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT