DGC60F65M DONGHAI

Symbol Micros: TDGC60f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 106nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 106nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 30V