DGC60F65M DONGHAI
Symbol Micros:
TDGC60f65m
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 106nC |
Maximale Verlustleistung: | 428W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Donghai |
Gate-Ladung: | 106nC |
Maximale Verlustleistung: | 428W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 7,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Donghai |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -45°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 30V |
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