DGC60F65M DONGHAI

Symbol Micros: TDGC60f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 106nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGC60F65M RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4385 1,9362 1,7169 1,6414 1,6249
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 106nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT