DGC75F65M DONGHAI
Symbol Micros:
TDGC75f65m
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 187nC |
Maximale Verlustleistung: | 440W |
Max. Kollektor-Strom: | 150A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Donghai |
Gate-Ladung: | 187nC |
Maximale Verlustleistung: | 440W |
Max. Kollektor-Strom: | 150A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Donghai |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -45°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 30V |
Montage: | THT |
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