DHG20T65D DONGHAI

Symbol Micros: TDGF20f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Trans IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 59nC
Maximale Verlustleistung: 96W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DHG20T65D RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1239 0,7477 0,5771 0,5585 0,5351
Standard-Verpackung:
50/100
Gate-Ladung: 59nC
Maximale Verlustleistung: 96W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V