DGF30F65M2 DONGHAI

Symbol Micros: TDGF25f65m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DGF30F65M2 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2450 0,8715 0,6976 0,6765 0,6554
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Standard-Verpackung:
50/100
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -45°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT

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