DHD50N03 DONGHAI

Symbol Micros: TDHD50n03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,5 mOhm; 50A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich zu: IRLR8729PBF, IRLR8729TRPBF, IRLR8729TRLPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: DHD50N03 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 75+ 200+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,2522 0,1431 0,1070 0,0978 0,0913
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Standard-Verpackung:
75/200
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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