F10N60 DONGHAI
Symbol Micros:
TDHF10n60
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 900 mOhm; 10A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie: STP10NK60ZFP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Donghai |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole