DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1012T-7 RoHS Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
51400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1619 0,0769 0,0432 0,0329 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1012T-7 NA1..RoHS Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
299 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1619 0,0769 0,0432 0,0329 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Montage: SMD

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