DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 700 mOhm; 630mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW1012T RoHS Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1060 0,0418 0,0243 0,0178 0,0163
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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