DMG1013T-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1013T-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 1,3 Ohm; 460mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 460mA
Maximaler Leistungsverlust: 270mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1013T-7 RoHS PA1. Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
8580 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1924 0,0913 0,0514 0,0390 0,0350
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1013T-7 RoHS PA1. Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1924 0,0913 0,0514 0,0390 0,0350
Standard-Verpackung:
420
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1013T-7 Gehäuse: SOT523  
Externes Lager:
792000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0350
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 460mA
Maximaler Leistungsverlust: 270mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD