DMG1024UV-7
Symbol Micros:
TDMG1024UV-7 Diodes
Gehäuse: SOT563
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 10 Ohm; 1,38A; 530 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,38A |
Maximaler Leistungsverlust: | 530mW |
Gehäuse: | SOT563 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0782 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0809 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
363000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0810 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,38A |
Maximaler Leistungsverlust: | 530mW |
Gehäuse: | SOT563 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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