DMG1024UV-7

Symbol Micros: TDMG1024UV-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT563
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 10 Ohm; 1,38A; 530 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 1,38A
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7 Gehäuse: SOT563  
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0782
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7 Gehäuse: SOT563  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0809
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1024UV-7 Gehäuse: SOT563  
Externes Lager:
363000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0810
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 1,38A
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD