DMG2302UK Diodes

Symbol Micros: TDMG2302uk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2302UK-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
280 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2383 0,1201 0,0724 0,0572 0,0528
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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