DMG2305UX

Symbol Micros: TDMG2305ux
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 200 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG2305UX-7; DMG2305UX-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
330 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2120 0,1006 0,0567 0,0430 0,0385
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-13 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2120 0,1004 0,0560 0,0425 0,0385
Standard-Verpackung:
10000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-13 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2677671 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0385
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-13 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
90000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0385
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1164000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0385
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD