DMG2307L
Symbol Micros:
TDMG2307l
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 134 mOhm; 3,8A; 760 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG2307L-7;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 134mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 760mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG2307L-7 RoHS G24..
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1300 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2197 | 0,1114 | 0,0675 | 0,0535 | 0,0488 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG2307L-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0488 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG2307L-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0488 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG2307L-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
189000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0488 |
Widerstand im offenen Kanal: | 134mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 760mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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