DMG3414U Diodes

Symbol Micros: TDMG3414u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 37mOhm; 4,2A; 780 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG3414U-7;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG3414U RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3059 0,1691 0,1119 0,0932 0,0876
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG3414U-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1070
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD