DMG6402LDM-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG6402ldm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT26
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,12 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,12W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6402LDM-7 RoHS Gehäuse: SOT26 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6445 0,4040 0,3363 0,2989 0,2802
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,12W
Gehäuse: SOT26
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD