DMG6601LVT-7

Name: TDMG6601lvt TDMG6601lvt
Brand: DIODES/ZETEX
SKU: TDMG6601lvt
Price: 0.0715 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TDMG6601lvt

Gehäuse: TSOT23-6

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm/190mOhm; 3,8 A/2,5 A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6601LVT-7 RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2480 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2502	0,1385	0,0920	0,0767	0,0715

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6601LVT-7 Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0715

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6601LVT-7 Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0715

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD