DMMT5401-7-F

Symbol Micros: TDMMT5401-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT26
Transistor GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R Transistor GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 240
Grenzfrequenz: 300MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT26
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMMT5401-7-F RoHS Gehäuse: SOT26 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2564 0,1632 0,1144 0,0981 0,0930
Standard-Verpackung:
250
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 240
Grenzfrequenz: 300MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT26
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP