DMN2004DWK-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2004dwk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 900 mOhm; 540mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004DWK-7-R RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2429 0,1343 0,0890 0,0740 0,0696
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004DWK-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
300000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0969
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004DWK-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0994
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004DWK-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1165
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD