DMN2004K-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2004k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 900 mOhm; 630mA; 350 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7 Pbf NAB Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1695 0,0803 0,0448 0,0339 0,0308
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0556
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0588
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
207000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0602
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 630mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD