DMN2075U-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2075u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 45mOhm; 4,2A; 800 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2075U-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0379
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2075U-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0411
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2075U-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0342
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD