DMN2230U-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2230u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 230 mOhm; 2A; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2230U-7 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
185 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2466 0,1322 0,1029 0,0930 0,0900
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD