DMN2230UQ-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2230uq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 230 mOhm; 2A; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C; DMN2230UQ-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
846 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2942 0,1560 0,1210 0,1116 0,1070
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1070
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1070
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD