DMN2230UQ-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2230uq
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 230 mOhm; 2A; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C; DMN2230UQ-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
846 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2942 | 0,1560 | 0,1210 | 0,1116 | 0,1070 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1070 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2230UQ-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1070 |
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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