DMN3150L-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN3150l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 115 mOhm; 3,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN3150L-7 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
380 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1903 0,0962 0,0579 0,0458 0,0423
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD