DMN33D8LT
Symbol Micros:
TDMN33d8lt
Gehäuse: SOT523
N-MOSFET 0.115A 30V 0.3W 5Ω DMN33D8LT-13, DMN33D8LT-7
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT523 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN33D8LT-13
Gehäuse: SOT523
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0301 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN33D8LT-7
Gehäuse: SOT523
Externes Lager:
27000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0299 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT523 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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