DMN4026SSDQ-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN4026ssdq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 32mOhm; 7A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN4026SSDQ-13 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
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90 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9131 0,5721 0,4764 0,4227 0,3970
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD