DMN6075S-7 DIODES
Symbol Micros:
TDMN6075S-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 2,5A; 1,15 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMN6075S-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,15W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7 RoHS S67.
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5095 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5791 | 0,3503 | 0,2685 | 0,2429 | 0,2312 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-13
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2312 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2312 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2312 |
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,15W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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