DMN6075S-7 DIODES

Symbol Micros: TDMN6075S-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 2,5A; 1,15 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMN6075S-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,15W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7 RoHS S67. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5095 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5791 0,3503 0,2685 0,2429 0,2312
Standard-Verpackung:
3000/6000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-13 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2312
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2312
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6075S-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2312
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,15W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD