DMN67D8LDW-7
Symbol Micros:
TDMN67D8LDW-7 Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 230mA 6-Pin SOT-363;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 320mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN67D8LDW-7
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0404 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN67D8LDW-7
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0413 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 320mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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