DMN67D8LDW-7

Symbol Micros: TDMN67D8LDW-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 230mA 6-Pin SOT-363;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 320mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN67D8LDW-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0404
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN67D8LDW-7 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0413
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 320mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD