DMP2018LFK-7

Symbol Micros: TDMP2018LFK-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: UDFN2523-6
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 25mOhm; 9,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: UDFN2523-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: UDFN2523-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD