DTC124EKAT,146

Symbol Micros: TDTC124ek
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 56
Hersteller: ROHM
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: DTC124EKAT146 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0996 0,0393 0,0229 0,0168 0,0153
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 56
Hersteller: ROHM
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 30mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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