EMD3T2R

Symbol Micros: TEMD3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT-666
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NPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k NPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k

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Parameter
Verlustleistung: 150mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: ROHM
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: EMD3 T2R RoHS Gehäuse: SOT-666 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2116 0,1167 0,0773 0,0645 0,0605
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 150mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: ROHM
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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