FCD5N60TM

Symbol Micros: TFCD5n60tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 4,6A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9224 0,6142 0,5067 0,4577 0,4390
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7625
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD