FCD5N60TM
Symbol Micros:
TFCD5n60tm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 4,6A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9224 | 0,6142 | 0,5067 | 0,4577 | 0,4390 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7625 |
Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 54W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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