FCPF11N60
Symbol Micros:
TFCPF11N60
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 RoHS
Gehäuse: TO220FP
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,2138 | 1,8565 | 1,6510 | 1,5225 | 1,4758 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4758 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4758 |
Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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