FCPF11N60

Symbol Micros: TFCPF11N60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2138 1,8565 1,6510 1,5225 1,4758
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4758
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4758
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT