FCPF400N80Z Fairchild

Symbol Micros: TFCPF400N80Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 35,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35,7W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FCPF400N80Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9592 1,6416 1,4595 1,3474 1,3054
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35,7W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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