FDA59N30

Symbol Micros: TFDA59N30
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N-MOSFET 59A 300V 500W 0.056Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 56mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 500W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDA59N30 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0782
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 56mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 500W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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