FDA69N25

Symbol Micros: TFDA69N25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET 69A 250V 480W 0.041Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDA69N25 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5527
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDA69N25 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5590
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT