FDA69N25
Symbol Micros:
TFDA69N25
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET 69A 250V 480W 0.041Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 41mOhm |
Max. Drainstrom: | 69A |
Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDA69N25
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
120 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5527 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDA69N25
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
180 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5590 |
Widerstand im offenen Kanal: | 41mOhm |
Max. Drainstrom: | 69A |
Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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