FDB035AN06A0

Symbol Micros: TFDB035AN06A0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 80A 60V 310W 0.0035Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB035AN06A0 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7492
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole