FDB045AN08A0
Symbol Micros:
TFDB045AN08A0
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 90A 75V 310W 0.0045Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB045AN08A0
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8252 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB045AN08A0
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 61+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9020 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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