FDB047N10

Symbol Micros: TFDB047N10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 120A 100V 375W 0.0047Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB047N10 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0059
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole