FDB070AN06A0

Symbol Micros: TFDB070AN06A0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 80A 60V 175W 0.007Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 175W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 175W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD