FDB2532

Symbol Micros: TFDB2532
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N-MOSFET 79A 150V 310W 0.016Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2532 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3200 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7073
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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