FDB2572

Symbol Micros: TFDB2572
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 29A 150V 135W 0.054Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 54mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2572 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
11200 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9383
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2572 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9798
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 54mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD