FDB3632
Symbol Micros:
TFDB3632
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDB3632-F085; FDB3632-F101; FDB3632_F085;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB3632
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
150400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5101 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB3632
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
74400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5101 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole