FDB3652

Symbol Micros: TFDB3652
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 61A 100V 150W 0.016Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB3652 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
12800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9572
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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