FDB52N20TM

Symbol Micros: TFDB52n20tm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

122 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5162	1,0623	0,8751	0,8096	0,7979

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD