FDB52N20TM

Symbol Micros: TFDB52n20tm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

102 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5132	1,0602	0,8734	0,8080	0,7963

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1376

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1648

Widerstand im offenen Kanal:	49mOhm
Max. Drainstrom:	52A
Maximaler Leistungsverlust:	357W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD