FDC2612

Symbol Micros: TFDC2612
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
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N-MOSFET 1.1A 200V 0.8W 0.725Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 725mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC2612 Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 409+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2824
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 725mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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